製品概要
概要
This application-specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diodes between gate-collector and gate-emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low on-state voltage drop and low threshold drive for use in automotive ignition systems.
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機能一覧
- Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
- ESD gate-emitter protection
- Gate-collector high voltage clamping
- Logic level gate drive
- Low saturation voltage
- High pulsed current capability
- Gate and gate-emitter resistor
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STGD20N40LZ
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| Resource title | Version | Latest update | Actions | Details | ダウンロード |
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SPICE models (2)
| Resource title | Version | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 | |||
| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGD20N40LZ | NRND 新規設計には推奨されません。製品は、お客様の継続的な生産をサポートするためだけに量産されています。 | DPAK | Automotive | Ecopack1 | - | - | |
STGD20N40LZ
Package:
DPAKMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
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Sample & Buy
| Part Number | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | PTOT (W) (max) | Eoff (mJ) (typ) (@ Tc=125°C) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||||
| STGD20N40LZ | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
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STGD20N40LZ NRND
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