19 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode

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  • These devices are ultrafast IGBT. They utilize the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.

    主な特徴

    • Low on-voltage drop (VCE(sat))
    • Very soft Ultrafast recovery anti-parallel diode

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STGF19NC60HD TO-220FP Tube
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STGF19NC60HD

パッケージ

TO-220FP

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Tube

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ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

概要

19 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode

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    • 製品型番

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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS4967
      19 A, 600 V, very fast IGBT with ultrafast diode
      10.1
      711.46 KB
      PDF
      DS4967

      19 A, 600 V, very fast IGBT with ultrafast diode

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製品型番 製品ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
STGF19NC60HD
アクティブ
19 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode TO-220FP インダストリアル Ecopack2

STGF19NC60HD

Package:

19 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode

Material Declaration**:

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Marketing Status

アクティブ

General Description

19 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode

Package

TO-220FP

Grade

Industrial

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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