概要
サンプル & 購入
ソリューション
リソース
ツール & ソフトウェア
品質 & 信頼性
eDesignSuite
はじめる
Partner products
Sales Briefcase
  • The newest IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behavior at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. A very fast soft recovery diode is co-packaged in antiparallel with the IGBT. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.

    主な特徴

    • Maximum junction temperature : TJ = 175 °C
    • Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 30 A
    • Very fast and soft recovery co-packaged diode
    • Minimized tail current
    • Tight parameter distribution
    • Low thermal resistance
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient

推奨コンテンツ

モバイル・アプリケーション

    • 製品型番

      STPOWER IGBT finder mobile app for tablets and smartphones

00 ファイルがダウンロード用に選択されています

技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS13256
      Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO‑220FP package
      2.0
      482.97 KB
      PDF
      DS13256

      Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO‑220FP package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4694
      EMC design guides for motor control applications
      1.0
      2.13 MB
      PDF
      AN4544
      IGBT datasheet tutorial
      1.1
      2.4 MB
      PDF
      AN5277
      Introduction to the new fast 650 V HB2 IGBT series on a two‑switch forward welding equipment
      1.0
      1.08 MB
      PDF
      AN4694

      EMC design guides for motor control applications

      AN4544

      IGBT datasheet tutorial

      AN5277

      Introduction to the new fast 650 V HB2 IGBT series on a two‑switch forward welding equipment

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      STGF30H65DFB2 Pspice Model 1.0
      2.94 KB
      ZIP

      STGF30H65DFB2 Pspice Model

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      650 V HB2 HIGH-SPEED IGBTs with embedded protection diode 1.1
      1.31 MB
      PDF
      650V HB series IGBTs; Innovative 4-lead package 1.1
      247.49 KB
      PDF
      650V HB2 series IGBTs Best performance in high-speed applications 1.0
      299.73 KB
      PDF
      ST IGBT FINDER app for Android and iOS 1.0
      316.78 KB
      PDF

      650 V HB2 HIGH-SPEED IGBTs with embedded protection diode

      650V HB series IGBTs; Innovative 4-lead package

      650V HB2 series IGBTs Best performance in high-speed applications

      ST IGBT FINDER app for Android and iOS

品質 & 信頼性

製品型番 製品ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGF30H65DFB2
量産中
Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220FP package TO-220FP Industrial Ecopack2

STGF30H65DFB2

Package:

Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220FP package

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

General Description

Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220FP package

Package

TO-220FP

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

製品型番
販売代理店からオーダー
STからオーダー
パッケージ
梱包タイプ
製品ステータス
ECCN (US)
Country of Origin
概要
Budgetary Price (US$)*/Qty
STGF30H65DFB2

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください

TO-220FP Tube
量産中
EAR99 CHINA Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220FP package

STGF30H65DFB2

パッケージ

TO-220FP

梱包タイプ

Tube

Budgetary Price (US$)*/Qty

製品ステータス

量産中

Budgetary Price (US$)* / Qty

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

概要

Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220FP package

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。