製品概要
概要
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
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特徴
- 6 µs of short-circuit withstand time
- VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 4 A
- Tight parameter distribution
- Safer paralleling
- Low thermal resistance
- Soft and very fast recovery antiparallel diode
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STGF4M65DF2
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フットプリント
3Dモデル
すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 22 Jul 2016 | 22 Jul 2016 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGF4M65DF2 | 量産中 | Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss | TO-220FP | インダストリアル | Ecopack2 | |
STGF4M65DF2
Package:
Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low lossMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | Order from distributors | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | Country of Origin | 概要 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | ||||||||||||||
| STGF4M65DF2 | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | 量産中 | EAR99 | NEC | Tube | TO-220FP | -55 | 175 | CHINA | Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss | | CHINA | Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss | ||
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。