STGF4M65DF2

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Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss

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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主な特徴

    • 6 µs of short-circuit withstand time
    • VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 4 A
    • Tight parameter distribution
    • Safer paralleling
    • Low thermal resistance
    • Soft and very fast recovery antiparallel diode

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概要

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss

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      Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
      4.0
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      DS11398

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      AN4544
      IGBT datasheet tutorial
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      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
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STGF4M65DF2
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Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss TO-220FP Industrial Ecopack2

STGF4M65DF2

Package:

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

General Description

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss

Package

TO-220FP

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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