製品概要
概要
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.-
特徴
- 6 µs of short-circuit withstand time
- VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 4 A
- Tight parameter distribution
- Safer paralleling
- Low thermal resistance
- Soft and very fast recovery antiparallel diode
注目ビデオ
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製品スペック (1)
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| 23 Nov 2016 | 23 Nov 2016 |
アプリケーションノート (2)
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| 19 Mar 2021 | 19 Mar 2021 | |||
| 19 Mar 2021 | 19 Mar 2021 |
フライヤ (2)
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| 30 Apr 2021 | 30 Apr 2021 | |||
| 04 May 2020 | 04 May 2020 |
パンフレット (1)
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| 03 Jun 2021 | 03 Jun 2021 |
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STGF4M65DF2
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| ZIP | 22 Jul 2016 | 22 Jul 2016 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
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| STGF4M65DF2 | 量産中 | Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss | TO-220FP | インダストリアル | Ecopack2 | |
STGF4M65DF2
Package:
Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low lossMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 詳細情報 | ||
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| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STGF4M65DF2 | 2 distributors | Buy Direct | 量産中 | EAR99 | NEC | Tube | TO-220FP | -55 | 175 | CHINA | Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss | |||
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
