STGP30H65DFB2

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Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 package

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製品概要

概要

The newest IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behavior at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. A very fast soft recovery diode is co-packaged in antiparallel with the IGBT. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.

  • 特徴

    • Maximum junction temperature : TJ = 175 °C
    • Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 30 A
    • Very fast and soft recovery co-packaged diode
    • Minimized tail current
    • Tight parameter distribution
    • Low thermal resistance
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STGP30H65DFB2

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品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGP30H65DFB2
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Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 package TO-220 インダストリアル Ecopack2

STGP30H65DFB2

Package:

Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 package

Material Declaration**:

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Marketing Status

量産中

General Description

Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 package

Package

TO-220

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。