STGW28IH125DF

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1250 V, 25 A IH series trench gate field-stop IGBT

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製品概要

概要

These IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure and performance is optimized in both conduction and switching losses. A freewheeling diode with a low drop forward voltage is co-packaged. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for any resonant and soft-switching application.
  • 特徴

    • Designed for soft commutation only
    • Maximum junction temperature: TJ= 175 °C
    • Minimized tail current
    • VCE(sat)= 2.0 V (typ.) @ IC= 25 A
    • Tight parameters distribution
    • Safe paralleling
    • Low VFsoft recovery co-packaged diode
    • Low thermal resistance
    • Lead free package

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    • 製品型番
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      STPOWER IGBT Finder

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EDA Symbols, Footprints and 3D Models

STMicroelectronics - STGW28IH125DF

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製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGW28IH125DF
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TO-247 インダストリアル Ecopack2

STGW28IH125DF

Package:

TO-247

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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ECCN (EU)
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STGW28IH125DF

製品ステータス

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EAR99

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ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tube

パッケージ

TO-247

Operating Temperature (°C)

(最小)

-55

(最大)

175

Budgetary Price (US$)* / Qty

3.3 / 1k

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。