STGW30NC60VD

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40 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode

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  • This device utilizes the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.

    主な特徴

    • High current capability
    • High frequency operation up to 50 KHz
    • Very soft ultra fast recovery antiparallel diode

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STGW30NC60VD TO-247 long leads Tube
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ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

概要

40 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。

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モバイル・アプリケーション

    • 製品型番

      STPOWER IGBT finder mobile app for tablets and smartphones

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技術文書

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      DS5126
      40 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode
      5.1
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      DS5126

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HWモデル、CADライブラリ & SVD

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製品型番 製品ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGW30NC60VD
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40 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode TO-247 long leads Industrial Ecopack2 (**)

STGW30NC60VD

Package:

40 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode

Material Declaration**:

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General Description

40 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode

Package

TO-247 long leads

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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