STGWT20IH125DF

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1250 V, 20 A IH series trench gate field-stop IGBT

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製品概要

概要

These IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure and performance is optimized in both conduction and switching losses. A freewheeling diode with a low drop forward voltage is co-packaged. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for any resonant and soft-switching application.

  • 特徴

    • Designed for soft commutation only
    • Maximum junction temperature: TJ= 175 °C
    • Minimized tail current
    • VCE(sat)= 2.0 V (typ.) @ IC= 15 A
    • Tight parameters distribution
    • Safe paralleling
    • Very low VFsoft recovery co-packaged diode
    • Low thermal resistance
    • Lead free package

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STGWT20IH125DF

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3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGWT20IH125DF
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TO-3P インダストリアル Ecopack2

STGWT20IH125DF

Package:

TO-3P

Material Declaration**:

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Package

TO-3P

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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