Automotive-grade N-channel 80 V, 3.3 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package

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  • This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

    主な特徴

    • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
    • Among the lowest RDS(on) on the market
    • Excellent figure of merit (FoM)
    • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
    • High avalanche ruggedness

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STH145N8F7-2AG H2PAK-2 Tape And Reel
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STH145N8F7-2AG

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS11081
      Automotive-grade N-channel 80 V, 3.3 mΩ typ., 90 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a H²PAK-2 package
      1.0
      671.29 KB
      PDF
      DS11081

      Automotive-grade N-channel 80 V, 3.3 mΩ typ., 90 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a H²PAK-2 package

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      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance
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      Power MOSFET: Rg impact on applications
      1.2
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      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies
      1.1
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      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
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      AN3267

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      UM1575

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      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications

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      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STH145N8F7-2AG
Active
H2PAK-2 オートモーティブ Ecopack1

STH145N8F7-2AG

Package:

H2PAK-2

Material Declaration**:

Marketing Status

Active

Package

H2PAK-2

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.