STH145N8F7-2AG

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Automotive-grade N-channel 80 V, 3.3 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package

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  • This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

    主な特徴

    • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
    • Among the lowest RDS(on) on the market
    • Excellent figure of merit (FoM)
    • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
    • High avalanche ruggedness

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ECCN (US)
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STH145N8F7-2AG H2PAK-2 Tape And Reel
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EAR99 CHINA 購入

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STH145N8F7-2AG

パッケージ

H2PAK-2

梱包タイプ

Tape And Reel

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製品ステータス

量産中

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ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

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      Automotive-grade N-channel 80 V, 3.3 mΩ typ., 90 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a H²PAK-2 package
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      DS11081

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STH145N8F7-2AG
量産中
H2PAK-2 Automotive Ecopack1

STH145N8F7-2AG

Package:

H2PAK-2

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

H2PAK-2

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください