Automotive-grade N-channel 24 V, 0.95 mOhm typ., 180 A STripFET III Power MOSFET in an H2PAK-6 package

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  • This device is an N-channel enhancement mode Power MOSFET produced using STMicroelectronics’ STripFET™ III technology, which is specifically designed to minimize on-resistance and gate charge to provide superior switching performance.

    Key Features

    • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
    • Conduction losses reduced
    • Low profile, very low parasitic inductance, high current package

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STH300NH02L-6

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    • 製品型番

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS7302
      Automotive-grade N-channel 24 V, 0.95 mΩ typ., 180 A STripFET™ III Power MOSFET in a H²PAK-6 package
      4.0
      1.01 MB
      PDF
      DS7302

      Automotive-grade N-channel 24 V, 0.95 mΩ typ., 180 A STripFET™ III Power MOSFET in a H²PAK-6 package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN1506
      A motor drives system for wheelchair applications
      1.2
      139.23 KB
      PDF
      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
      1.2
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      AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications
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      Power MOSFETs: best choice guide for VRM application
      1.0
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      AN1506

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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
STH300NH02L-6
アクティブ
H2PAK-6 オートモーティブ Ecopack1

STH300NH02L-6

Package:

H2PAK-6

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

アクティブ

Package

H2PAK-6

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.