製品概要
概要
STK295N10F8AGは、強化されたトレンチ･ゲート構造を特徴とするSTripFET F8技術で設計された100V Nチャネル･エンハンスメント･モードのパワーMOSFETです。
内部キャパシタンスとゲート電荷を低減し、より高速で効率的なスイッチングを実現すると同時に、超低オン抵抗により最高水準の性能指数を保証します。
-
All features
- AEC-Q101準拠
- MSL1グレード
- 最大動作時接合部温度：175℃
- 100%アバランシェ試験済み
- 低ゲート電荷Qg
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STK295N10F8AG
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Please select one model supplier :
Symbols
Footprints
3D models
すべてのリソース
| Resource title | Version | Latest update | Actions | Details | ダウンロード |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | Version | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 02 Mar 2026 | 02 Mar 2026 |
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STK295N10F8AG | Active 交換品交換品 | POWERLEADED8X8 | Automotive | Ecopack2 | 10 | 2026-03-09T00:00:00.000+01:00 |
STK295N10F8AG
Package:
POWERLEADED8X8Material Declaration**:
PDF(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
You’re now leaving st.com and will be re-directed to our Partner’s website.
For the latest innovations and solutions from ST, sign up for our newsletters.
Sample & Buy
| Part Number | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STK295N10F8AG | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
STK295N10F8AG Active
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。