STL105DN4LF7AG

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Automotive-grade N-channel 40 V, 8 mOhm typ.,15 A STripFET F7 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 double island package

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  • This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

    主な特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • Among the lowest RDS(on) on the market
    • Excellent FoM (figure of merit)
    • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
    • High avalanche ruggedness
    • Wettable flank package

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STL105DN4LF7AG PowerFLAT 5x6 double island WF Tape And Reel
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PowerFLAT 5x6 double island WF

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技術文書

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      DS12414
      Automotive-grade dual N-channel 40 V, 3.5 mΩ typ., 40 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 DI
      1.0
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      PDF
      DS12414

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      1.1
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関連資料

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      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive

      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
STL105DN4LF7AG
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PowerFLAT 5x6 double island WF オートモーティブ Ecopack2

STL105DN4LF7AG

Package:

PowerFLAT 5x6 double island WF

Material Declaration**:

Marketing Status

Active

Package

PowerFLAT 5x6 double island WF

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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