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  • This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

    主な特徴

    • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
    • Among the lowest RDS(on) on the market
    • Excellent figure of merit (FoM)
    • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
    • High avalanche ruggedness
    • Wettable flanks package

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STL135N8F7AG PowerFLAT 5x6 WF Tape And Reel
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STL135N8F7AG

パッケージ

PowerFLAT 5x6 WF

梱包タイプ

Tape And Reel

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CHINA

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    • 製品型番

      MOSFET product finder application for Android and iOS

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技術文書

    • Description バージョン サイズ アクション
      DS11231
      Automotive-grade N-channel 80 V, 3.15 mΩ typ., 120 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 package
      4.0
      1,003.05 KB
      PDF
      DS11231

      Automotive-grade N-channel 80 V, 3.15 mΩ typ., 120 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 package

    • Description バージョン サイズ アクション
      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
      1.2
      1.13 MB
      PDF
      AN4789
      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance
      1.1
      1,006.7 KB
      PDF
      AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications
      1.2
      1.45 MB
      PDF
      AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies
      1.1
      1.22 MB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN3267

      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance

      AN4789

      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance

      AN4191

      Power MOSFET: Rg impact on applications

      AN4390

      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • Description バージョン サイズ アクション
      TN1236
      Leadless packages with enhanced board level solder joint reliability for automotive application
      1.0
      912.41 KB
      PDF
      TN1236

      Leadless packages with enhanced board level solder joint reliability for automotive application

    • Description バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • Description バージョン サイズ アクション
      STL135N8F7AG PSpice model 1.0
      3.56 KB
      ZIP

      STL135N8F7AG PSpice model

関連資料

    • Description バージョン サイズ アクション
      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
      714.06 KB
      PDF
      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications 1.1
      687.95 KB
      PDF

      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive

      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications

    • Description バージョン サイズ アクション
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.03 MB
      PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STL135N8F7AG
Active
PowerFLAT 5x6 WF オートモーティブ Ecopack2

STL135N8F7AG

Package:

PowerFLAT 5x6 WF

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

Active

Package

PowerFLAT 5x6 WF

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.