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STL3N80K5

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N-channel 800 V, 2.8 Ohm typ., 2.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV package

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  • This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

    主な特徴

    • Industry’s lowest RDS(on) x area
    • Industry’s best FoM (figure of merit)
    • Ultra-low gate charge
    • 100% avalanche tested
    • Zener-protected
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900 V MDmesh K5 MOSFETs
900 V MDmesh K5 MOSFETs

Industry’s first 900 V MOSFETs with on-state resistance below 100 mΩ

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800 V MDmesh K5 MOSFETs
800 V MDmesh K5 MOSFETs

Available in 10 different RDS(on) values and 9 packages

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		DS12096
      N-channel 800 V, 2.8 Ω typ., 2 A MDmesh™ K5 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 VHV package       		1.0
      897.67 KB
      		PDF
      DS12096

      N-channel 800 V, 2.8 Ω typ., 2 A MDmesh™ K5 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 VHV package

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction       		1.1
      772.32 KB
      		PDF
      		AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology       		1.4
      896.91 KB
      		PDF
      		AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings       		1.3
      880.04 KB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

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      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

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      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products       		1.0
      657.71 KB
      		PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

      PDF

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      		800-1050V MDmesh™ K5 ST’s first super-junction VHV MOSFET Series 1.0
      351.54 KB
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      		800-1700 V MDmesh K5: Very high voltage super-junction Power MOSFET series 1.0
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      		ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
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      800-1050V MDmesh™ K5 ST’s first super-junction VHV MOSFET Series

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      800-1700 V MDmesh K5: Very high voltage super-junction Power MOSFET series

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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.03 MB
      		PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

      PDF

品質 & 信頼性

製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STL3N80K5
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PowerFLAT 5x6 VHV インダストリアル Ecopack2

STL3N80K5

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PowerFLAT 5x6 VHV

Material Declaration**:

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Marketing Status

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Package

PowerFLAT 5x6 VHV

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

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STからオーダー
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ECCN (EU)
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ARROW EUROPE 3000 0 発注する

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ARROW

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EUROPE 発注する

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量産中
EAR99 NEC Tape And Reel PowerFLAT 5x6 VHV - - CHINA

STL3N80K5

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99
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地域 在庫 最小発注 パートナー企業リンク
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3000

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ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tape And Reel

パッケージ

PowerFLAT 5x6 VHV

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(最小)

-

(最大)

-

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Country of Origin

CHINA

（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。