P-channel 30 V, 0.009 Ohm typ., 62 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主な特徴

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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STL62P3LLH6

パッケージ

PowerFLAT 5x6

梱包タイプ

Tape And Reel

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開発ツール・ハードウェア

    • 製品型番

      MOSFET product finder application for Android and iOS

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS10149
      P-channel -30 V, 9 mΩ typ., -62 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
      6.0
      1.14 MB
      PDF
      DS10149

      P-channel -30 V, 9 mΩ typ., -62 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      STL62P3LLH6 PSpice model 1.0
      8.87 KB
      ZIP

      STL62P3LLH6 PSpice model

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STL62P3LLH6
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PowerFLAT 5x6 インダストリアル Ecopack2

STL62P3LLH6

Package:

PowerFLAT 5x6

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

Active

Package

PowerFLAT 5x6

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.