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This device utilizes the 7thgeneration of design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.
主な特徴
- N-channel enhancement mode
- Lower RDS(on)x area vs previous generation
- 100% avalanche rated
サンプル & 購入
| 製品型番 | パッケージ | 梱包タイプ | 製品ステータス | 概算価格（USS） | Quantity | ECCN (US) | Country of Origin | 販売代理店からオーダー | STからオーダー |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STL7N10F7 | PowerFLAT 3.3x3.3 | Tape And Reel | Active | 1.2 | 1000 | EAR99 | CHINA | 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください |
STL7N10F7
パッケージ
PowerFLAT 3.3x3.3梱包タイプ
Tape And ReelUnit Price (US$)
1.2*(*) Suggested Resale Price per unit (USD) for BUDGETARY USE ONLY. For quotes, prices in local currency, please contact your local ST Sales Office or our Distributors
ビデオ
Learn how ST’s low-voltage power MOSFETs can help you to solve your EMI/EMC issues in motor control applications
開発ツール･ハードウェア
| 製品型番 | 製品ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STL7N10F7 | Active | PowerFLAT 3.3x3.3 | Industrial | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
