P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 package

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主な特徴

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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STL8P4LLF6 PowerFLAT 3.3x3.3 Tape And Reel
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STL8P4LLF6

パッケージ

PowerFLAT 3.3x3.3

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Tape And Reel

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    • 製品型番

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS10065
      P-channel 40 V, 0.0175 Ω typ.,8 A, STripFET™ F6 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 3.3 x 3.3 package
      2.0
      359.78 KB
      PDF
      DS10065

      P-channel 40 V, 0.0175 Ω typ.,8 A, STripFET™ F6 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 3.3 x 3.3 package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STL8P4LLF6
Active
PowerFLAT 3.3x3.3 インダストリアル Ecopack2

STL8P4LLF6

Package:

PowerFLAT 3.3x3.3

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

Active

Package

PowerFLAT 3.3x3.3

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.