STN3P6F6

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P-channel -60 V, 0.13 Ohm typ., -3 A STripFET F6 Power MOSFET in a SOT-223 package

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主な特徴

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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STN3P6F6 SOT-223 Tape And Reel
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STN3P6F6

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開発ツール・ハードウェア

    • 製品型番

      MOSFET product finder application for Android and iOS

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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      DS9301
      P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -3 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a SOT-223 package
      6.0
      589.6 KB
      PDF
      DS9301

      P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -3 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a SOT-223 package

    • 概要 Version Size Action
      AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages
      1.3
      776.65 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 Version Size Action
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
STN3P6F6
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SOT-223 インダストリアル Ecopack2

STN3P6F6

Package:

SOT-223

Material Declaration**:

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Marketing Status

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Package

SOT-223

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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