STP100N10F7

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N-channel 100 V, 0.0068 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package

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製品概要

概要

These N-channel Power MOSFETs utilize STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
  • 特徴

    • Among the lowest RDS(on) on the market
    • Excellent FoM (figure of merit)
    • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
    • High avalanche ruggedness

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      量産中

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      STEVAL-LLL009V1

      概要:

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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STP100N10F7

アプリケーションに適したEDAシンボル、フットプリント、および3Dモデルをダウンロードしてご利用頂けます。また、ご使用の設計ツールチェーンに対応したさまざまなCADフォーマットもご利用頂けます。

Symbols

EDAシンボル

Footprints

フットプリント

3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STP100N10F7
量産中
TO-220 インダストリアル Ecopack2

STP100N10F7

Package:

TO-220

Material Declaration**:

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Marketing Status

量産中

Package

TO-220

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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STP100N10F7

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ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tube

パッケージ

TO-220

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-

(最大)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

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Country of Origin

CHINA

(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。