STP105N3LL

量産中

N-channel 30 V, 2.7 mOhm typ., 150 A STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package

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  • This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主な特徴

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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製品型番
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ECCN (US)
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STP105N3LL TO-220AB Tube
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EAR99 CHINA 購入

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STP105N3LL

パッケージ

TO-220AB

梱包タイプ

Tube

Budgetary Price (US$)*/Qty

製品ステータス

量産中

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ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

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      DS9382

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STP105N3LL
量産中
TO-220AB Industrial Ecopack2

STP105N3LL

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください