STP160N3LL

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N-channel 30 V, 2.5 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package

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  • This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主な特徴

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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STP160N3LL

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      MOSFET product finder application for Android and iOS

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS9859
      N-channel 30 V, 2.5 mΩ typ., 120 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a TO-220 package
      3.0
      381.05 KB
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      DS9859

      N-channel 30 V, 2.5 mΩ typ., 120 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a TO-220 package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
STP160N3LL
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TO-220AB インダストリアル Ecopack2

STP160N3LL

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

アクティブ

Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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