製品概要
概要
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.
-
特徴
- RDS(on)* Qgindustry benchmark
- Extremely low on-resistance RDS(on)
- Logic level drive
- High avalanche ruggedness
- 100% avalanche tested
推奨コンテンツ
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STP160N4LF6
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すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STP160N4LF6 | 量産中 | TO-220 | インダストリアル | Ecopack2 | |
STP160N4LF6
Package:
TO-220Material Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | 温度（℃） | Operating Temperature (°C) (min) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STP160N4LF6 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | TO-220 | Tube | CHINA | EAR99 | NEC | - | - | - | |||
STP160N4LF6 量産中
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。