STP180N4F6

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N-channel 40 V, 3.8 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package

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  • This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主な特徴

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      DS11202
      N-channel 40 V, 2.1 mΩ typ., 120 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a TO-220 package
      2.0
      676.59 KB
      PDF
      DS11202

      N-channel 40 V, 2.1 mΩ typ., 120 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a TO-220 package

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      1.2
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      AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies
      1.1
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      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
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      AN3267

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    • 概要 Version Size Action
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
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      UM1575

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STP180N4F6
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TO-220AB Industrial Ecopack2

STP180N4F6

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

Marketing Status

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Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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