製品概要
概要
本デバイスは、ST独自の革新的な垂直構造に基づくMDmesh™ V技術を使用して製造されるNチャネルFDmesh™ VパワーMOSFETです。シリコン･ベースのパワーMOSFETの中では比類のないきわめて低いオン抵抗と、内蔵のファストリカバリ･ダイオードによる優れたスイッチング性能を誇ります。
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機能一覧
- TO-220で提供されるファストリカバリ･ダイオード･デバイスの中では世界で最も低いRDS(on)
- 100%アバランシェ試験済み
- 低い入力キャパシタンスとゲート電荷
- 低いゲート入力抵抗
- きわめて高いdv/dtとアバランシェ機能
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STMicroelectronics - STP34NM60ND
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