製品概要
概要
These Power MOSFETs are designed using the STMicroelectronics consolidated strip-layout-based MESH OVERLAY process. The result is a product that matches or improves on the performance of comparable standard parts from other manufacturers.-
特徴
- 100% avalanche tested
- Intrinsic capacitances and Qg minimized
- High speed switching
- Fully isolated TO-3PF plastic package, creepage distance path is 5.4 mm (typ.)
注目ビデオ
Industry’s first 900 V MOSFETs with on-state resistance below 100 mΩ
Available in 10 different RDS(on) values and 9 packages
推奨コンテンツ
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STP3N150
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すべてのリソース
| Resource title | バージョン | Latest update |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | バージョン | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 11 Dec 2020 | 11 Dec 2020 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STP3N150 | 量産中 | TO-220 | インダストリアル | Ecopack2 | |
STP3N150
Package:
TO-220Material Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||
| STP3N150 | 1 distributors | 量産中 | EAR99 | NEC | Tube | TO-220 | - | - | CHINA | |||
製品ステータス
量産中ECCN (US)
EAR99Budgetary Price (US$)*/Qty
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
