製品概要
概要
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
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特徴
- Very low FoM (figure of merit)
- Ultra-low gate charge
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
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STマイクロエレクトロニクス - STP7N90K5
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| タイトル | バージョン | 更新日 | アクション | 詳細 | ダウンロード |
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| タイトル | バージョン | 更新日 | アクション | オプション | ||
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| ZIP | 1.0 | 08 Mar 2017 | 08 Mar 2017 |