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  • The device is manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology for high switching speeds and medium voltage capability.

    It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA.
    The device is designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies.

    主な特徴

    • Integrated antiparallel collector-emitter diode
    • Minimum lot-to-lot spread for reliable operation
    • High voltage capability
    • Very high switching speed

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STT13005D-K SOT-32 Poly Bag
NRND
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STT13005D SOT-32 Tube
NRND
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MOUSER WORLDWIDE 11498 1 Order Now

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STT13005D-K

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STT13005D

パッケージ

SOT-32

梱包タイプ

Tube

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS5890
      High voltage fast-switching NPN power transistor
      2.1
      260.88 KB
      PDF
      DS5890

      High voltage fast-switching NPN power transistor

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STT13005D
NRND
SOT-32 インダストリアル Ecopack1
STT13005D-K
NRND
SOT-32 インダストリアル Ecopack1

STT13005D

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SOT-32

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NRND

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SOT-32

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Industrial

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Ecopack1

STT13005D-K

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SOT-32

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Industrial

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Ecopack1

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.