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STU2N105K5

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N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in IPAK package

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  • These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

    主な特徴

    • Industry’s lowest RDS(on) x area
    • Industry’s best figure of merit (FoM)
    • Ultra low gate charge
    • 100% avalanche tested
    • Zener-protected
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900 V MDmesh K5 MOSFETs
900 V MDmesh K5 MOSFETs

Industry’s first 900 V MOSFETs with on-state resistance below 100 mΩ

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800 V MDmesh K5 MOSFETs
800 V MDmesh K5 MOSFETs

Available in 10 different RDS(on) values and 9 packages

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    • 製品型番
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      MOSFET product finder application for Android and iOS

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		DS10323
      N-channel 1050 V, 6 Ω typ., 1.5 A MDmesh™ K5 Power MOSFETs in DPAK, TO-220 and IPAK packages       		3.0
      1.11 MB
      		PDF
      DS10323

      N-channel 1050 V, 6 Ω typ., 1.5 A MDmesh™ K5 Power MOSFETs in DPAK, TO-220 and IPAK packages

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction       		1.1
      772.32 KB
      		PDF
      		AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology       		1.4
      896.91 KB
      		PDF
      		AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings       		1.3
      880.04 KB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      PDF
      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      PDF
      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products       		1.0
      657.71 KB
      		PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

      PDF

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		STU2N105K5 PSpice model 1.0
      9.5 KB
      		ZIP

      STU2N105K5 PSpice model

      ZIP

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		800-1050V MDmesh™ K5 ST’s first super-junction VHV MOSFET Series 1.0
      351.54 KB
      		PDF
      		800-1700 V MDmesh K5: Very high voltage super-junction Power MOSFET series 1.0
      477.67 KB
      		PDF

      800-1050V MDmesh™ K5 ST’s first super-junction VHV MOSFET Series

      PDF

      800-1700 V MDmesh K5: Very high voltage super-junction Power MOSFET series

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.03 MB
      		PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

      PDF
製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STU2N105K5
Active
IPAK インダストリアル Ecopack2

STU2N105K5

Package:

IPAK

Material Declaration**:

More Info

Marketing Status

Active

Package

IPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.