STU6NF10

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N-channel 100 V, 0.22 Ω, 6 A, DPAK, IPAK low gate charge STripFET͐2;2; Power MOSFET

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  • This MOSFET series realized with STMicroelectronics unique STripFET process has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore suitable as primary switch in advanced high-efficiency, high-frequency isolated DC-DC converters for Telecom and Computer applications. It is also intended for any applications with low gate drive requirements.

    主な特徴

    • Exceptional dv/dt capabilitY
    • 100% avalanche tested

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    • 製品型番

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS2296
      N-channel 100 V, 0.22 Ω, 6 A, DPAK, IPAK low gate charge STripFET™ Power MOSFET
      6.2
      325.31 KB
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      DS2296

      N-channel 100 V, 0.22 Ω, 6 A, DPAK, IPAK low gate charge STripFET™ Power MOSFET

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      1.2
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      Power MOSFET: Rg impact on applications
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      AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies
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      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
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      UM1575

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STU6NF10
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IPAK Industrial Ecopack2

STU6NF10

Package:

IPAK

Material Declaration**:

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Package

IPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください