STW10NK80Z

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N-channel 800 V, 0.78 Ohm, 9 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFETs in TO-247 package

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  • These devices are N-channel Zener-protected Power MOSFETs developed using STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in on-resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

    主な特徴

    • Extremely high dv/dt capability
    • 100% avalanche tested
    • Gate charge minimized
    • Very low intrinsic capacitances
    • Very good manufacturing repeability

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DIGIKEY WORLDWIDE 4 1 発注する
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FUTURE WORLDWIDE 180 30 発注する
ARROW EUROPE 634 0 発注する
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MOUSER WORLDWIDE 1084 1 発注する
Farnell Element14 EUROPE 956 1 発注する
ANGLIA Live EUROPE 128 1 発注する

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STW10NK80Z

パッケージ

TO-247

梱包タイプ

Tube

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AVNET AMERICA 16 0 発注する
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推奨製品

推奨コンテンツ

モバイル・アプリケーション

    • 製品型番

      STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS2835
      N-channel 800 V, 0.78 Ω, 9 A Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFETs in TO-220, TO-220FP and TO-247 packages
      7.1
      439.75 KB
      PDF
      DS2835

      N-channel 800 V, 0.78 Ω, 9 A Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFETs in TO-220, TO-220FP and TO-247 packages

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      STW10NK80Z PSpice model (.lib) 1.0
      564 Byte(s)
      ZIP

      STW10NK80Z PSpice model (.lib)

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      944.77 KB
      PDF
      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STW10NK80Z
量産中
TO-247 Industrial Ecopack2

STW10NK80Z

Package:

TO-247

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください