N-channel 800 V, 0.65 Ohm, 10.5 A Zener protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-247 package

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  • These devices are N-channel Zener-protected Power MOSFETs developed using STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in on-resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

    主な特徴

    • Extremely high dv/dt capability
    • Improved esd capability
    • 100% avalanche tested
    • Gate charge minimized
    • Very low intrinsic capacitances
    • Very good manufacturing reliability

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RS COMPONENTS EUROPE 529 1 Order Now
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FUTURE WORLDWIDE 40 1 Order Now
ARROW EUROPE 320 0 Order Now
MOUSER WORLDWIDE 395 1 Order Now
Farnell Element14 EUROPE 273 1 Order Now
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推奨製品

推奨コンテンツ

開発ツール・ハードウェア

    • 製品型番

      MOSFET product finder application for Android and iOS

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS3339
      N-channel 800 V, 0.65Ω typ., 10.5 A Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247
      7.1
      690.92 KB
      PDF
      DS3339

      N-channel 800 V, 0.65Ω typ., 10.5 A Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      STW12NK80Z PSpice model (.lib) 1.0
      571 Byte(s)
      ZIP

      STW12NK80Z PSpice model (.lib)

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
STW12NK80Z
アクティブ
TO-247 インダストリアル Ecopack2

STW12NK80Z

Package:

TO-247

Material Declaration**:

Marketing Status

アクティブ

Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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