STW18NM80

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N-channel 800 V, 0.25 Ohm, 17 A, MDmesh(TM) Power MOSFET in TO-247 package

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  • These N-channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics’ revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST’s proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.

    主な特徴

    • 100% avalanche tested
    • Low input capacitance and gate charge
    • Low gate input resistance

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DIGIKEY WORLDWIDE 515 1 発注する
COMPEL EUROPE 1373 1 発注する
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(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。

推奨製品

推奨コンテンツ

モバイル・アプリケーション

    • 製品型番

      STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS6113
      N-channel 800 V, 0.25 Ω, 17 A, MDmesh™ Power MOSFET in D²PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages
      5.0
      1.02 MB
      PDF
      DS6113

      N-channel 800 V, 0.25 Ω, 17 A, MDmesh™ Power MOSFET in D²PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      944.77 KB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STW18NM80
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TO-247 Industrial Ecopack2

STW18NM80

Package:

TO-247

Material Declaration**:

Marketing Status

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Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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