N-channel 800 V, 0.25 Ohm, 17 A, MDmesh(TM) Power MOSFET in TO-247 package

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  • These N-channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics’ revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST’s proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.

    主な特徴

    • 100% avalanche tested
    • Low input capacitance and gate charge
    • Low gate input resistance

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    • 製品型番

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技術文書

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      DS6113
      N-channel 800 V, 0.25 Ω, 17 A, MDmesh™ Power MOSFET in D²PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages
      5.0
      1.02 MB
      PDF
      DS6113

      N-channel 800 V, 0.25 Ω, 17 A, MDmesh™ Power MOSFET in D²PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages

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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
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      UM1575

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STW18NM80
Active
TO-247 インダストリアル Ecopack2

STW18NM80

Package:

TO-247

Material Declaration**:

Marketing Status

Active

Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.