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  • The devices are manufactured in epitaxial-base planar technology and are suitable for power linear and switching applications.

    主な特徴

    • Low collector-emitter saturation voltage
    • Complementary NPN - PNP transistors

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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      DS1098
      Complementary power transistors
      5.2
      190.13 KB
      PDF
      DS1098

      Complementary power transistors

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
TIP35C
Active
TO-247 インダストリアル Ecopack2

TIP35C

Package:

TO-247

Material Declaration**:

Marketing Status

Active

Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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