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  • The devices are manufactured in planar technology with “base island” layout. The resulting transistors show exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.

    主な特徴

    • Low collector-emitter saturation voltage
    • Complementary NPN - PNP transistors

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TIP35CW TO-247 Tube
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DIGIKEY WORLDWIDE 1953 1 Order Now
AVNET AMERICA 1950 0 Order Now
MOUSER WORLDWIDE 1830 1 Order Now
Farnell Element14 EUROPE 125 1 Order Now

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TIP35CW

パッケージ

TO-247

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Tube

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DIGIKEY WORLDWIDE 1953 1 Order Now
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CHINA

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS4476
      Complementary power transistors
      4.2
      190.27 KB
      PDF
      DS4476

      Complementary power transistors

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
TIP35CW
アクティブ
TO-247 インダストリアル Ecopack2

TIP35CW

Package:

TO-247

Material Declaration**:

Marketing Status

アクティブ

Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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