HFおよびVHF周波数帯全体でのRF性能が向上するように最適化されたプロセス・レイアウトをベースとするSTの50V RF DMOSトランジスタは、ISM、HFトランシーバ、およびFM放送アプリケーションに最適です。このデバイスは、高いブレークダウン電圧(最大200 V超)と耐久性の改善により、極めて優れたRFゲイン(20 dB超)と出力飽和(最大450 W)を示します。


  • 出力:最大350 W
  • ブレークダウン電圧BVDSS:最大200 V超
  • 極めて高い耐久性:全位相でのVSWRが「無限大:1」
  • クラス最高の信頼性:100万パワー・サイクル
  • 低熱抵抗
  • セラミック・パッケージに比べて接合部 / ケース間の熱抵抗(25%低下)とRF性能が向上したSTのエア・キャビティ(STAC®) パッケージ・オプション

Moisture-resistant 50 V RF DMOS transistors

Thanks to the gel-filled package cavity, the 150 W SD2931-12MR and 300 W SD4933MR provide a cost-effective solution for industrial equipment operating in high-moisture environments. The gel protects the die from electro-migration such as silver dendrite migration, a well-known phenomenon in standard ceramic packages that occurs due to a combination of high temperature, biasing and humidity. The SD4933MR also features the industry’s highest breakdown voltage (> 200 V) combined with a 65:1 load mismatch capability in all phases for the most robust design needs.

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