イノベーション & テクノロジー
研究開発 9,000名 以上が従事
イノベーション 21,000件 の特許取得
パートナーシップ 195件 以上の
研究開発
プログラム
STは、独自のテクノロジーや
製品を開発し、お客様の課題
解決やビジネス機会に
つながる最適な
ソリューションを提供
しています。
イノベーションとは、
高度な集合知を要する共同作業により
実現されるものです。
Alessandro Cremonesi - 最高イノベーション責任者
シリコン･フォトニクスによるクラウド向け光インターコネクト技術
データセンターの相互接続やAIインフラは、多数の光トランシーバによって支えられています。
光トランシーバは光信号と電気信号を相互に変換するデバイスで、GPU、スイッチ、ストレージ･システム間のデータフローを可能にします。ST独自のシリコン･フォトニクス（SiPho）技術は、次世代BiCMOS技術と組み合わせることで、光トランシーバ向けの高性能かつ電力効率に優れた小型ソリューションを実現します。
未来のアプリケーションに向けた
デジタル & ミックスド･シグナル技術
テクノロジーにおいては、小さな一歩が大きな革新へつながります。デジタルおよびミックスド･シグナル技術の進歩により、性能を損なうことなく、より小型のシステムを実現可能です。RF、アナログ、およびデジタル技術のポートフォリオを継続的に革新することで、お客様の高電力化・高集積化ニーズに対応します。
BiCMOS
BiCMOSは、小型･高効率設計で高性能なRF ICの開発を実現します。
FD-SOI
優れた低消費電力性能と高い信頼性により、コスト効率に優れたRF / ミリ波アプリケーション、およびミックスド･シグナル･アプリケーションに独自のメリットを提供します。
相変化メモリ（PCM）
組込み相変化メモリ（ePCM）は、Flashメモリやその他の組込みメモリ技術と比べ、メモリ容量や堅牢性において大きなメリットを提供します。
RF-SOI
STの革新的なRF-SOIソリューションは、先進的案RFフロント･エンド･モジュール（FEM）の設計を可能にします。
eSTM
STが開発･量産化した40nmノードのeSTM（embedded Select in Trench Memory）テクノロジーは、汎用マイコンやセキュア･マイコンのフットプリントやコスト削減、性能向上に貢献します。
航空宇宙向けASIC
STは、耐放射線のエキスパートによって開発された包括的な航空宇宙テクノロジー･プラットフォームと、差別化された耐放射線技術を提供しています。
より環境に優しいソリューションを実現する
スマート･パワー技術
STは、25 年以上にわたりパワー半導体とインテリジェント機能の融合に取り組んできました。 STの最新イノベーションは、小型・高効率で、将来的な課題に対応できるパワー & エネルギー･ソリューションの開発を可能にします。
BCD
BCDは、パワー半導体における重要な技術です。1980年代半ばにSTが開発して以降、継続して開発を進めています。
STi²GaN
GaN（窒化ガリウム）技術を活用したSTi²GaNは、サイズ、性能、コスト面でさまざまな電力システムにメリットを提供します。
VIPower
VIPowerテクノロジーは、1デバイスによる高電力制御や、ステータスのセンシング･通信をサポートし、保護機能を提供します。VIPowerテクノロジーは、1デバイスによる高電力制御や、ステータスのセンシング･通信をサポートし、保護機能を提供します。
STi²Fuse
STi²Fuseインテリジェント･スイッチは、高速に動作しリセットが可能な、信頼性の高い過電流保護機能を提供し、自動車のワイヤ･ハーネス簡略化･軽量化に貢献します。
ポスト量子時代の暗号
量子コンピュータにより、公開鍵暗号アルゴリズムが攻撃に対して脆弱となる可能性があります。ポスト量子暗号は、量子コンピュータの脅威を阻止することを目的としています。STマイクロエレクトロニクスは、ポスト量子時代へのシームレスな移行を実現し、デジタルな未来を守るために、ポスト量子暗号アルゴリズムの標準化プロセスおよび開発に注力しています。
革新的な高電力技術
パワー･トランジスタは、あらゆる電力システムにおける主要コンポーネントです。
STは、継続的なイノベーションにより、効率と信頼性を向上させることを目指しています。
また、シリコン、ワイド･バンドキャップ素材、そして高度なパッケージング･テクノロジーを用いることで、お客様の要求をサポートしています。
GaN（窒化ガリウム）
GaNトランジスタは、電力変換における革新的なソリューションです。電力効率や電力密度の大幅な向上に貢献します。
SiC（炭化ケイ素）
SiCは、従来主流であったシリコンと比べてさまざまなメリットを提供します。より高効率で、持続可能なアプリケーションの実現に貢献します。
トレンチ･ゲート･
フィールド･
ストップ
STの高精度TGFSアーキテクチャは、コスト効率に優れたIGBTのメリットを最大限に引き出し、高電力システムで堅牢なスイッチングを実現します。
スーパー･
ジャンクション型
MDMesh
高耐圧のスーパー･ジャンクション型MOSFETは、電力効率が重要なシステムでシリコン性能を最適化する優れたアーキテクチャです。
エッジAI
エッジAIはAIにおけるパラダイム･シフトであり、クラウドAIと比べてさまざまなメリットを提供します。STは、マイクロコントローラやマイクロプロセッサ、スマート･センサにエッジAIを組み込むことで、お客様がエッジAIを活用するための研究、イノベーション、および開発活動に投資しています。
MEMS（微小電気機械システム）
MEMS技術は、現実世界とデジタル世界のインタラクションに変革をもたらしています。STは、独自の最先端プロセス技術、パッケージングおよび製造能力を活用し、次世代MEMSセンサ & アクチュエータの提供に向けた継続的な開発に取り組んでいます。
テクノロジーにおいては、
小さな一歩が大きな革新へ
つながります。
STは、長期的な市場トレンドに基づいてテクノロジーを開発しています。最先端のチップ製造技術を活用した製品を生み出すことで、お客様のアプリケーションを実現することができます。
STは、将来の成長を加速させ、市場をリードする製品やソリューションの開発に向けた「イノベーション･ファネル」を形成しています。これにより、STの戦略的ビジョンの目標に沿って、革新的なテクノロジーやアプリケーションの開発を継続的に行うことができます。
STのイノベーション･オフィスは、STのテクノロジーを進化させる上で重要な役割を果たしています。 社内外でイノベーションの機会を増やすとともに、新たな市場トレンドとSTの技術や専門性を結びつけます。 これにより、イノベーションの機会を見つけられるだけでなく、競争優位性を確立し、新規･既存技術をリードすることができます。
