Innovation & Technology

イノベーション & テクノロジー

技術革新に向けた柔軟かつ一貫した取り組み

STは、25年以上にわたり、技術革新を戦略の中心としてきました。当社は、市場を重視した技術開発への投資を行っており、最先端技術で最新製品を実現し、お客様の価値創造につなげることを目標としています。
現在、STは、幅広い特許ポートフォリオとイノベーションに向けた強力なネットワークを持ち、多種多様な技術を保有する数少ない半導体メーカーです。これらのイノベーションは、最終製品の大幅な小型・高速化、高効率化、信頼性の向上、ならびに新機能の搭載を可能にし、その結果、私たちの日常生活における課題を解決すると共に、ニーズに対応します。

STは、お客様のアプリケーションに最高のソリューションを提案するアナログ・デジタル技術ポートフォリオを保有すると共に、設計から製品出荷まで高品質なサービスを提供します。

また、製造プロセスを効率的に運用し、高品質な製造委託、特定用途向けICや特定用途向け標準ICなど、お客様にニーズに応じたさまざまな形態で製品を製造しています。

STのプロセス技術の詳細は以下ページでご覧いただけます。

artificial intelligence AI STは、数年間にわたって人工知能(Artificial Intelligence)の研究開発に取り組んでおり、汎用マイクロコントローラやAI専用ハードウェア / ソフトウェアIPを使って人工ニューラル・ネットワークを実行するソリューションの開発を進めています
BCD bipolar-cmos-dmos 高い信頼性、電磁干渉の低減、小型化を可能にする優れたプロセス技術で、幅広いスマートパワー・アプリケーションに適しています。
VIPower Vertical Intelligent Power VIPower™(Vertical Intelligent Power)技術は、パワー・トランジスタに加え、制御・駆動・保護用回路を1チップ上に集積しています。
silicon carbide sic STのSiC(炭化ケイ素)技術は、革新的な高耐圧スイッチングおよび整流を可能にします。
STのGaN(窒化ガリウム)技術は、高周波パワー・スイッチングに適しています。
BICMOS 2種類のプロセス技術の優位性を組み合わせ、高周波アナログに重要な高速性と高ゲインを提供すると同時に、シンプルで高効率なロジック・ゲートを構築します。
FD-SOI Fully Depleted Silicon On Insulator シリコンの革新的なプレーナ型プロセス技術です。システム・オン・チップの電力効率や柔軟性を高めると同時に、製造プロセスを簡略化します。
RF-SOI 最先端の高集積RFフロントエンド・モジュールの開発に最適なRF-SOIプロセスです。
STの相変化メモリ技術は、マイクロコントローラの内蔵メモリの大容量化に理想的できます。FD-SOIと組み合わせることで堅牢な車載用マイコンを実現するほか、高温動作、放射線耐性およびデータ保持力などの基準にも対応します。
MEMS technology マイクロマシニング技術から革新的なパッケージ技術まで、高信頼かつ高性能なセンサおよびマイクロ・アクチュエータを実現する独自プロセスおよび専用設備を保有しています。
imaging イメージング製品に特化した幅広いプロセスと、イメージ・センサ、イメージ・シグナル・プロセッサ(ISP)、ピクセル技術、アルゴリズムおよび光学技術に関するIPポートフォリオを保有しています。

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