PD55025-E

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RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs

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概要

The device is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 12 V in common source mode at frequencies up to 1 GHz. The device boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, PowerSO-10RF. The device’s superior linearity performance makes it an ideal solution for car mobile radio. The PowerSO-10 plastic package, designed to offer high reliability, is the first ST JEDEC approved, high power SMD package. It has been specially optimized for RF needs and offers excellent RF performance and ease of assembly. Mounting recommendations are available in www.st.com/rf/ (look for application note AN1294).
  • All features

    • Excellent thermal stability
    • Common source configuration
    • POUT = 25 W with 14.5dB gain @ 500 MHz / 12.5 V
    • New RF plastic package

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    • 製品型番
      ステータス
      概要
      タイプ
      サプライヤ

      STEVAL-TDR023V1

      NRND

      20 W, 460 - 540 MHz evaluation board based on PD55025-E

      RFパワートランジスタ用評価ボード --
      STEVAL-TDR023V1

      概要:

      20 W, 460 - 540 MHz evaluation board based on PD55025-E

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STMicroelectronics - PD55025-E

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PD55025S-E Available at 2 distributors

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EAR99 NEC Tube PowerSO-10RF (straight lead) - -
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EAR99 NEC Tube PowerSO-10RF (formed lead) - -

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パッケージ

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PowerSO-10RF (formed lead)

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(最小)

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(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。