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STは、50V~100 Vで動作し、高い信頼性(100万パワー・サイクル)を持つRF DMOS(二重拡散金属酸化物半導体)トランジスタの幅広い製品ポートフォリオを提供しています。1MHz~250MHzのアプリケーションを対象とし、高いピーク電力(最大1.2kW)と堅牢性(インピーダンスが無限大時にVSWR = 1)を備えています。

プロセス・レイアウトの最適化により優れたRF性能を実現しており、以下のアプリケーションに最適です。

  • RFプラズマ・ジェネレータ
  • レーザ・ドライバ
  • 誘導加熱および解凍装置
  • MRI(磁気共鳴映像法)
  • 高周波トランシーバ
  • FM放送

STのRF DMOSトランジスタは、熱抵抗を25%抑える革新的なSTAC®エア・キャビティ・パッケージや、耐湿性をもち、コスト効率に優れたゲル充填パッケージで提供されます。

また、評価ボードやソフトウェア・シミュレータ、解析ツールの幅広い提供により、設計期間の短縮に貢献します。

   

50 V DMOS RF MOSFETs in STAC® air-cavity package

Compared to devices housed in ceramic packages, the new 50 V DMOS devices housed in ST’s innovative STAC air cavity package feature a 25% lower thermal resistance and higher MTTF combined with improved RF performances (up to 350 W) and ruggedness requirements (65:1 all phases VSWR). They represent a cost-effective solution for applications such as RF generators for PECVD, plasma sputtering and flat-panel and solar-cell manufacturing equipment.

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