RF2L15200CB4

量産中
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200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor

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製品概要

概要

The RF2L15200CB4 is a 200 W LDMOS FET, designed for wideband communication and ISM applications with frequencies from HF to 1.5 GHz. It can be used in class AB, B or C for all typical modulation formats.

  • 特徴

    • High efficiency and linear gain operations
    • Integrated ESD protection
    • Large positive and negative gate-source voltage range for improved class C operation
    • Excellent thermal stability, low HCI drift
    • In compliance with the european directive 2002/95/EC

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - RF2L15200CB4

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3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
RF2L15200CB4
量産中
LBB インダストリアル N/A

RF2L15200CB4

Package:

LBB

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

LBB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

N/A

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

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パッケージ
梱包タイプ
RoHS
Country of Origin
ECCN (US)
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RF2L15200CB4
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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。