RF2L42008CG2

量産中

8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor

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製品概要

概要

The RF2L42008CG2 is a 8 W, 28 V, internally matched LDMOS FETs, designed for global positioning system, wideband communications and ISM applications in the frequency range from 0.7 to 4.2 GHz. It can be used in class AB, B or C for all typical modulation formats.
  • 特徴

    • High efficiency and linear gain operations
    • Integrated ESD protection
    • Internally matched for ease of use
    • Large positive and negative gate-source voltage range for improved class C operation
    • Excellent thermal stability, low HCI drift
    • In compliance with the european directive 2002/95/EC

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STMicroelectronics - RF2L42008CG2

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Footprints

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3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
RF2L42008CG2
量産中
E2 インダストリアル N/A

RF2L42008CG2

Package:

E2

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

E2

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

N/A

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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RF2L42008CG2

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量産中
EAR99 NEC Tape And Reel E2 - - CHINA

RF2L42008CG2

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tape And Reel

パッケージ

E2

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。