RF3L05150CB4

量産中

150 W, 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz

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概要

The RF3L05150CB4 is a 150 W, 28/32 V LDMOS FET designed for wide-band communication and ISM applications with frequencies from HF to 1 GHz. It can be used in class AB, B or C for all typical modulation formats.
  • All features

    • High efficiency and linear gain operations
    • Integrated ESD protection
    • Large positive and negative gate-source voltage range for improved class C operation
    • In compliance with the european directive 2002/95/EC

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量産中
EAR99 NEC Tape And Reel LBB - -

RF3L05150CB4

製品ステータス

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ECCN (US)

EAR99

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tape And Reel

パッケージ

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(最小)

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(最大)

-

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。