製品概要
概要
The RF3L05150CB4 is a 150 W, 28/32 V LDMOS FET designed for wide-band communication and ISM applications with frequencies from HF to 1 GHz. It can be used in class AB, B or C for all typical modulation formats.-
特徴
- High efficiency and linear gain operations
- Integrated ESD protection
- Large positive and negative gate-source voltage range for improved class C operation
- In compliance with the european directive 2002/95/EC
All resources
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製品スペック (1)
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| 18 Mar 2021 | 18 Mar 2021 |
フライヤ (4)
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| 06 Oct 2020 | 06 Oct 2020 | |||
| 07 Jul 2020 | 07 Jul 2020 | |||
| 07 Jul 2020 | 07 Jul 2020 | |||
| 17 Dec 2019 | 17 Dec 2019 |
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - RF3L05150CB4
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Symbols
Footprints
3D models
All resources
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ADS models (1)
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| ZIP | 08 Jan 2021 | 08 Jan 2021 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| RF3L05150CB4 | 量産中 | LBB | インダストリアル | N/A | |
RF3L05150CB4
Package:
LBBMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | ||||||||||
| RF3L05150CB4 | 1 distributors | 量産中 | EAR99 | NEC | Tape And Reel | LBB | - | - | 100.0 / 100 | ||
製品ステータス
量産中ECCN (US)
EAR99（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
