RF5L1214750CB4

量産中

750 W, 50 V, 1200 to 1400 MHz RF power LDMOS transistor

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製品概要

概要

The RF5L1214750CB4 is a 750 W, 50V high performance LDMOS FETs, designed for L-Band radar and particle accelerator in the frequency range from 1300 to 1500 MHz.
  • 特徴

    • High efficiency and linear gain operations
    • Integrated ESD protection
    • Internally matched pair transistors in push-pull configuration
    • Large positive and negative gate-source voltage range for improved class C operation
    • In compliance with the european directive 2002/95/EC

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - RF5L1214750CB4

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Symbols

EDAシンボル

Footprints

フットプリント

3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
RF5L1214750CB4
量産中
D4E インダストリアル N/A

RF5L1214750CB4

Package:

D4E

Material Declaration**:

PDF

Marketing Status

量産中

Package

D4E

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

N/A

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

製品型番
販売代理店から購入
STから購入
製品ステータス
ECCN (US)
ECCN (EU)
梱包タイプ
パッケージ
温度(℃) Budgetary Price (US$)*/Qty
最小
最大
RF5L1214750CB4

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください

量産中
EAR99 NEC Tray D4E - -

RF5L1214750CB4

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tray

パッケージ

D4E

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。