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  • The STAC3932B is an N-channel MOS field-effect RF power transistor. It is intended for use in 100 V DC large signal applications up to 250 MHz.

    主な特徴

    • Excellent thermal stability
    • Common source push-pull configuration
    • POUT = 580 W typ. with 24.6 dB gain @ 123 MHz
    • In compliance with the 2002/95/EC European directive

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    • 製品型番

      Mismatch analysis for RF transistor circuits based on Agilent ADS

      Large signal load stability for RF transistors based on Agilnet ADS

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技術文書

    • Description バージョン サイズ アクション
      DS6157
      HF/VHF/UHF RF power N-channel MOSFET
      6.0
      841.33 KB
      PDF
      DS6157

      HF/VHF/UHF RF power N-channel MOSFET

    • Description バージョン サイズ アクション
      AN3232
      Mounting recommendations for STAC® and STAP® boltdown packages
      4.0
      1.67 MB
      PDF
      AN3232

      Mounting recommendations for STAC® and STAP® boltdown packages

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • Description バージョン サイズ アクション
      STAC3932B ADS model 1.0
      673.57 KB
      ZIP

      STAC3932B ADS model

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STAC3932B
Active
STAC244B インダストリアル Ecopack1

STAC3932B

Package:

STAC244B

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

Active

Package

STAC244B

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.