短い伝導チャネル長と高いブレークダウン電圧を特徴とする、テレコムおよび衛星通信向けRFパワー･アンプに最適なLDMOSトランジスタです。STはIDCHテクノロジーを活用し、優れた性能（高効率、低熱抵抗、最適化されたパワーRFパッケージ、超高周波動作）およびコスト競争力のあるソリューションを幅広いアプリケーション向けに提供しています。 消費電力の削減、クラス最高レベルの信頼性、コスト効率に優れたソリューションを実現します。
主なアプリケーション
- 衛星通信（1.6GHz）
- MT（1.4GHz～1.5GHz）
- テレコム（0.7GHz～3.8GHz）
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RF2L36075CF2
75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
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RF2L16180CB4
180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
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RF2L27015CG2
15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
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RF2L27025CG2
25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
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PD20015-E
RF power transistor, LdmoST family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs
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PD20010-E
RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs
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RF2L36040CF2
40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
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ST36015
20 W, 28 V, 0.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
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RF2L16180CF2
180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
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RF2L42008CG2
8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
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ST16010
10 W, 28 V, HF to 1.6 GHz RF Power LDMOS transistor
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RF2L16080CF2
80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
