製品概要
概要
This N-channel Power MOSFET is developed with STMicroelectronics unique STripFET process.
It has been specifically designed for satellite application able to sustain high TID and immunity to heavy ion effects. It is qualified as per 5205/022 ESCC specification.
-
特徴
- Fast switching
- 100% avalanche tested
- Hermetic package
- 50 krad TID
- SEE radiation hardened
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STマイクロエレクトロニクス - STRH100N6
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フットプリント
3Dモデル
すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 2.4 | 15 Oct 2021 | 15 Oct 2021 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STRH100N6HY1 | 量産中 | TO-254AA | インダストリアル | N/A | - | - | |
| STRH100N6HYG | 量産中 | TO-254AA | インダストリアル | N/A | - | - | |
| STRH100N6HYT | 量産中 | TO-254AA | インダストリアル | N/A | - | - | |
STRH100N6HY1
Package:
TO-254AAMaterial Declaration**:
STRH100N6HYG
Package:
TO-254AAMaterial Declaration**:
STRH100N6HYT
Package:
TO-254AAMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | Package: Product Marking | SMD PIN/Detailed Spec | Quality Level | Lead Finish | |
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| STRH100N6HY1 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
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| STRH100N6HYT | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
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| STRH100N6HYG | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
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STRH100N6HY1 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
STRH100N6HYT 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
STRH100N6HYG 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。