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STの耐放射線性パワーMOSFETは、航空宇宙アプリケーションにおける高い信頼性要件に対応できるよう特別に設計されています。Nチャネル型とPチャネル型があり、いずれも100Vの最大ブレークダウン電圧、最大48Aのドレイン電流、30mΩの最小RDS(on)といった特徴を持ちます。Pチャネル・バージョンは100krad、Nチャネル・バージョンは50kradの吸収線量(TID)まで耐えることが可能です。

耐放射線性パワーMOSFETは、ST独自のSTripFET™プロセスで製造され、ダイ、SMD.5密封パッケージのほか、スルーホールTO-254AAおよびTO-257AAパッケージで提供されます。

欧州で設計・製造され、ESCC(European Space Components Coordination)規格システムの認証を取得し、欧州宇宙機関(ESA)によって認定されています。

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