イメージング･プレミアム･ファウンドリ
先進的なイメージング･テクノロジー
STは、イメージング･センサの設計および製造において業界のリーダー企業の1社として知られています。研究開発を重視しているSTは、最先端技術、知的財産、ツールを開発することで、高度な機能と最高の性能を備えた独自のソリューションを生み出してきました。
またファウンドリ･サービスを通じて、これらの成熟した高品質なCMOSイメージング技術を提供しています。
どのようなアプリケーションでも、カスタム･ピクセルの設計や特定の要件への対応する専門チームが、お客様をサポートします。
STは自社CMOSイメージ･センサ専用の製造体制を備えているため、お客様が必要とする柔軟性、品質、安定した供給体制を実現できます。
STがサポートしているテクノロジーには、裏面照射、3Dスタック、CDTI（キャパシタ･ディープ･トレンチ･アイソレーション）などの先進的かつ革新的な機能が含まれています。また、1Dおよび2Dスティッチング技術により、小型センサから超大型センサまで幅広く対応することができます。
幅広いアプリケーションに対応できる汎用的なプラットフォーム
STの高度なイメージング技術は、幅広いアプリケーションに対応できるように設計されており、さまざまな分野で高い性能と汎用性を実現しています。
• プロ向けのカメラおよび動画撮影
• 医療用イメージング機器
• 産業オートメーション用マシン･ビジョン
• 車載用アプリケーション
• セキュリティおよび監視
• AR（拡張現実）およびVR（仮想現実）
• 3Dセンシングおよびイメージング機器
• 宇宙および防衛
イメージング技術のプラットフォーム
STのイメージング技術には複数の技術が搭載されており、いずれもクロル工場（フランス）の12インチ製造設備で製造されています。
裏面照射（BSI）65nm
BSI 65nmの技術は、高度な裏面照射技術により、光感度と画質を向上させます。低ノイズ、高フル･ウェル容量、画素内タングステン･シールド機能も備えており、1Dおよび2Dスティッチングが利用可能で、超大型センサにも対応できます。
BSI積層型単一光子アバランシェ･ダイオード（SPAD）
BSI積層型SPADの技術は、低消費電力と幅広いダイナミック･レンジで、高い光子検出効率を提供します。カスタムのSPADプロセスと高度な40nm CMOS技術を活用し、高い性能を実現します。
BSI積層型65 / 40nm
BSI積層型65 / 40nmとは、STのBSI 65nm技術と40nm CMOS上での高度なスタッキングを組み合わせたもので、低消費電力、高密度設計、ピクセル･レベルでのCu-Cu接続により、効率性を改善します。スティッチングが利用可能で、超大型センサにも対応できます。
特徴ある独自技術
CDTI（キャパシタ･ディープ･トレンチ･アイソレーション）
1Dおよび2Dスティッチング
NIR機能強化
幅広いアナログ/デジタルIP
SPAD、ローリング･シャッタ、グローバル･シャッタ
内製カラー･フィルタ･アレイ、マイクロレンズ
MPW（マルチ･プロジェクト･ウェハ）を
提供
STは、標準的な製造技術をベースとするMPW（マルチ･プロジェクト･ウェハ）を提供しています。MPWを使用することで、低コストで迅速にプロトタイプを作成できるようになります。
つまり、フル･マスク･セットで製品を最終確定する前に、さまざまなIPや複数バージョンのピクセルを設計し、テストすることが可能です。
MPWは毎年複数回実現しており、標準的なサービス料金には、マスク･データの準備、マスク･セットの注文、ウェハ加工、ソーイング、バックグラインド、そしてジェル･パックでのサンプル配送が含まれます。また、特定のプロセスや追加サンプルなど、その他のサービスは、追加料金により利用することができます。
品質保証
STは、最高レベルの安全性と信頼性を備えたソリューションの開発に全力で取り組んでいます。STは、卓越した品質、信頼性、即応性を通じて、お客様にとって最も価値があり信頼できるパートナーになることを目的としています。
品質を重視する姿勢はSTの文化に深く根付いており、STの品質に対するアプローチと同じレベルをファウンドリ･サービスでも提供しており、プロセス検証用のテスト･セットの使用やST製品への統合などに関して、厳しい認定テストに合格した技術を展開しています。
STのあらゆるイメージング製品を製造しているクロル工場（フランス）の12インチ製造工場では、ISO 9001、IATF 16949、ISO 14001、ISO 45001、およびISO 50001の認証を取得しています。
技術プラットフォームの詳細情報
BSI 65nm
- CDTI（キャパシタ･ディープ･トレンチ･アイソレーション） – 光学クロストークと暗電流を低減、画素内高密度キャパシタを搭載
- ローリング･シャッタおよびグローバル･シャッタの電圧ドメイン用の多様なリファレンス･ピクセル
- 低い暗電流
- 高フル･ウェル（FW）容量
- 低ノイズ
- 画素内タングステン･シールド機能
- 高い量子効率（QE）
- 内製のギャップレス･マイクロレンズとカラー･フィルタ･アレイ（CFA）
- 大型センサ用の1Dおよび2Dスティッチング
BSI積層型SPAD
- フル･カスタムのSPADプロセス。高い光子検出効率（PDE）、低いダーク･カウント･レート（DCR）、低ジッターおよび低消費電力を実現
- BSIウェハにピクセル･レベルのCu-Cu接続をスタック
- 先進の論理ノードCMOS 40nm：低消費電力、高密度、低コスト
- 最大カウント･レートが高いため、高照度下でも高いPDEを最大限に活用可能
- 低ブレークダウン電圧と低電荷量（パルスあたり）により、大型アレイでも低消費電力を実現
BSI積層型65 / 40nm
- ピクセル：BSIと同じテクノロジー･ブリック
- BSIウェハにピクセル･レベルのCu-Cu接続をスタック
- 先進の論理ノード（40nm）と動作電圧（1.1V）により、低消費電力と高密度設計を実現
- 高フル･ウェル（FW）容量
- 低ノイズ
- 画素内タングステン･シールド機能
- 画素内高密度キャパシタ
- 高い量子効率（QE）
- 内製のギャップレス･マイクロレンズとカラー･フィルタ･アレイ（CFA）
- 大型センサ用の1Dおよび2Dスティッチング
幅広いピクセル･デザインのラインナップ
STは、リファレンス･ピクセルの幅広いラインナップと豊富な専門知識により、長年にわたってさまざまな市場の多様なニーズや要件に対応するカスタム設計をサポートしています。STの長期にわたるサポートは、お客様独自の目標に合わせたソリューションを提供します。
| 技術 | ピッチ | 機能 |
|---|---|---|
| BSI | 1.4µm | ローリング･シャッタ 4画素共有型 – 1T75 |
| BSI | 1.75µm | ローリング･シャッタ 2画素共有型 – 2T5 |
| BSI | 2.16µm | 電圧ドメイン構成のグローバル･シャッタ 6T（トランジスタ） 2つの画素内キャパシタ |
| BSI | 2.61µm | 電圧ドメイン構成のグローバル･シャッタ 8T（トランジスタ） 2つの画素内キャパシタ |
| BSI | 3.2µm | ローリング･シャッタ 共有画素なし デュアル･ゲイン |
| 積層型SPAD | 10µm | BSIダイオード PDE 21% C40論理ウェハ･スタッキング |
| FSI SPAD | 10µm | FSIダイオード C40デジタルベース |