STマイクロエレクトロニクス、Sub-GHz帯通信向けアンテナとフィルタ回路を1チップに集積したバランを発表


Geneva / 18 Dec 2017

STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、868~927MHz帯向け低消費電力無線トランシーバであるS2-LP向けに最適化されたバランを発表しました。このバランは、IoTセンサ、スマート・メータ、警報装置、リモコン、ビル自動化システム、産業用制御機器など、サイズおよびコストが重視される機器において、基板面積の削減とRF回路の設計簡略化に貢献します。 STマイクロエレクトロニクス、Sub-GHz帯通信向けアンテナとフィルタ回路を1チップに集積したバランを発表

BALF-SPI2-01D3は、3.26mm2と小型ながら、アンテナとS2-LP無線トランシーバの接続に必要なインピーダンス整合回路とフィルタ部品をすべて集積しています。合計16個のキャパシタとインダクタを含むディスクリート部品を使用する従来の回路の場合は、最大100mm2もの基板面積を占めることになる一方、このバランに置き換えることで実装面積を96%以上削減することができます。

同製品は、基板面積を削減するほか、部品定数の選定や厳密さが要求される回路のレイアウトを不要にするため、回路設計が大幅に簡略化されます。S2-LP向けに最適化されたこのバランには、テストおよび検証済みの推奨実装方法が用意されており、RF性能を最大化する回路をすぐに再現することができます。

BALF-SPI2-01D3は、STの集積型バラン・ファミリの最新製品です。同ファミリは現在、16品種で構成され、STのSub-GHz帯向けトランシーバまたはBluetooth® low energy 2.4GHz帯向け無線トランシーバのほか、さまざまな他社製のトランシーバ向けの製品も用意されています。また、サイズの異なるパッケージで提供されており、最も小型のものでパッケージ・サイズが0.8mm2です。また、リフローはんだ実装後の高さはわずか0.56mmとなっています。

これらの高集積整合回路デバイスを実現する重要な技術が、非導電性ガラス基板上に形成するSTの集積型受動デバイス(IPD)です。この技術により、RF信号の損失と、振幅および位相の不平衡が低く抑えられるため、RFサブシステムの高性能化とバッテリ駆動機器の長時間の動作を実現することができます。ネットワークに接続するスマート機器は、消費者のライフ・スタイルを向上するほか、商業、エネルギー、産業の各分野においても、ビジネスの高効率化と革新的なサービスの創出に向けてますます重要になっています。各種スマート機器の開発者は、STの集積型バランを採用することで、より高性能かつ小型の製品を短期間で開発できるため、急成長する市場で優位性を発揮することができます。

BALF-SPI2-01D3は現在量産中で、チップ・スケール・パッケージ(6バンプ、2.1 x 1.55mm)で提供されます。単価は、500個購入時に約0.176ドルです。

詳細については、www.st.com/balf-spi2-01d3-newsをご覧ください。

 

 

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