21 Jan 2019 | Geneva

STマイクロエレクトロニクス、ブリッジ型 / ZVSコンバータの性能を向上させる高速リカバリ対応パワーMOSFETを発表

Geneva / 21 Jan 2019

STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、最新のスーパージャンクション技術を採用し、高速リカバリ・ボディ・ダイオードを内蔵した600V耐圧パワーMOSFET「MDmesh™ DM6」を発表しました。同製品は、フル / ハーフ・ブリッジ・トポロジ、ゼロ電圧スイッチング(ZVS)位相シフト・コンバータのほか、堅牢なダイオードを使用してダイナミックdV/dtへの対応が求められるアプリケーションやトポロジにおいて、優れた性能を実現します。

STマイクロエレクトロニクス、ブリッジ型 / ZVSコンバータの性能を向上させる高速リカバリ対応パワーMOSFETを発表

MDmesh DM6は、STの先進的なキャリア・ライフタイム制御技術を活用することにより、逆回復時間(trr)を短縮してフリーホイール後の逆回復時に発生するダイオードの電力損失を最小限に抑えます。緩やかな逆回復特性は、信頼性を高めるように最適化されています。また、ゲート電荷(Qg)とオン抵抗(RDS(ON))が非常に低く、容量プロファイルが軽負荷時の動作に特化されているため、より高い動作周波数、高効率化、温度管理の簡略化、EMI低減が可能になります。

MDmesh DM6は、優れた電力定格で堅牢な性能と高い電力密度を実現できるため、電気自動車の充電器、通信基地局やデータセンターのパワー・コンバータ、太陽光発電システム用インバータなどに最適です。

STPOWER™ポートフォリオに含まれるMDmesh DM6ファミリは、定格電流が15A~72A、ゲート電荷(Qg)が20nC~117nC、RDS(ON)が0.240Ω~0.036Ωの23品種で構成されています。また同製品は、一般的な各種パワー半導体用パッケージ(低インダクタンス・リードレスTO-LL、PowerFLAT 8x8 HV、D2PAK、TO-220、TO-247)で提供されます。TO-247は、ショート・リードまたはロング・リードから選択することができます。

MDmesh DM6ファミリは、現在量産中です。価格およびサンプル提供については、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。

詳細については、www.st.com/stpowerをご覧ください。

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