29 Apr 2019 | Geneva

STマイクロエレクトロニクス、最新の高速化技術で性能を高める高周波650V耐圧IGBTを発表

Geneva / 29 Apr 2019

STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、最新のトレンチ・フィールド・ストップ(TFS)技術を活用し、PFCコンバータ、溶接機、無停電電源装置(UPS)、太陽光発電システム用インバータなど、中・高速アプリケーションの効率と性能を向上させる650V耐圧IGBTのHB2シリーズを発表しました。同シリーズには、AEC-Q101 Rev. D規格に準拠した車載用製品も含まれています。

STマイクロエレクトロニクス、最新の高速化技術で性能を高める高周波650V耐圧IGBTを発表

STPOWER™ポートフォリオに新たに加わったHB2シリーズは、低VCEsat(1.55V)による優れた導通性能を備えています。同時に、ゲート電荷を低減することで、動特性が向上しているため、低ゲート電流での高速スイッチングが可能です。優れた熱性能が、信頼性と出力密度の最大化に役立つ一方、高い競争力も実現しています。

HB2シリーズは、全定格ダイオードまたは半定格ダイオード、もしくは保護ダイオードを同一パッケージに逆並列に内蔵することにより、IGBT部への偶発的な逆バイアスを防ぐことができるため、アプリケーションの要求に応じて特性を柔軟に最適化することができます。

この新しい650V耐圧IGBTの最初の製品となるSTGWA40HP65FB2(定格40A)は、現在入手可能で、TO-247パッケージ(ロングリード)で提供されます。単価は、1000個購入時に約2.95ドルです。

詳細については、ウェブサイトをご覧ください。

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